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一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法

1712019/07/23
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 成果持有方 西安理工大学
  • 行业领域 工业工程
  • 项目名称 一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，将钛酸丁酯和无水乙醇混合加入氧化镍溶胶中，搅拌陈化得到钛掺杂的氧化镍溶胶；采用浸渍提拉法在二氧化锡基板上进行薄膜提拉，将提拉制得的薄膜在室温下进行干燥，得到钛掺杂的氧化镍薄膜；将钛掺杂的氧化镍薄膜热处理后使用溅射仪对其进行顶电极的制备，即得到钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜。本发明制备方法，简便、易行；与常用的半导体薄膜的制备技术相比，这种溶胶‑凝胶方法因为不需要复杂、昂贵的设备，工艺参数易于控制，能大大地降低生产成本，并能制备大面积薄膜；在进行氧化镍薄膜的掺杂时，掺杂工艺简单、定量准确。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/07/24
  • 委托机构 西安理工大学
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