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基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器及其制作方法

1482019/07/16
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学资产公司
  • 成果持有方 王凤娟 | 余宁梅
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器，包括半导体衬底，贯通半导体衬底的上下表面设置有若干个通孔，在通孔的内侧表面上设置有绝缘层，在通孔的绝缘层内填充有硅通孔金属；在半导体衬底的上表面设置有顶层介质，在半导体衬底的下表面设置有底层介质；硅通孔金属分为两组，其中第一组硅通孔金属相互连接构成电极一，第二组硅通孔金属相互连接构成电极二；电极一、电极二中的一个为电容器的正极，另一个为电容器的负极。本发明还公开了该基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器的制作方法。本发明利用硅通孔金属和硅衬底之间的寄生电容，大幅度提高了集成电容器的容值，解决现有技术中二维结构的平板电容的容值小的问题。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/11/28
  • 委托机构 西安电子科技大学资产公司
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