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基于弛豫GeSn材料的光电探测器

2122019/07/04
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 先进制造技术
  • 项目名称 基于弛豫GeSn材料的光电探测器
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种基于弛豫GeSn材料的光电探测器，包括衬底、弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区、保护层和金属电极。弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区均采用GeSn材料；发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在器件的外围。本发明通过在衬底和n+型区之间插入一层Sn的组份高于n+型区、光吸收区、p+型区GeSn合金的GeSn层作为应变弛豫层，使得采用该材料生长方法和结构的光电探测器较于传统GeSn探测器有着相同Sn组份下更好的光电特性和更宽的探测范围。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/07/04
  • 委托机构 西安电子科技大学
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