西部产学研在线服务平台
| 关注我们
扫描二维码
口袋专利

专利在线查询

描二维码
西部产学研在线

官方公众号

|关于我们
平台简介 帮助中心
|网站导航
| 咨询热线：029-88202821
您当前的位置：科技成果 > 一种低温漂的全MOSFET基准电压源

一种低温漂的全MOSFET基准电压源

1462019/07/04
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 其他电子信息
  • 项目名称 一种低温漂的全MOSFET基准电压源
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种低温漂的全MOSFET基准电压源，包括正温度系数电压产生电路、核心电路、零极点补偿电路三部分。正温度系数电压产生电路的输出端与核心电路的输入端连接，核心电路的输出端与零极点补偿电路的输入端连接，零极点补偿电路的输出端经电阻连接至核心电路，为核心电路提供偏置电压。本发明能够简化电路结构，提高电路工作频率，降低基准电压温度系数，使得基准电压在很宽的温度范围内保持稳定的输出，适用于大多数需要基准电压源的模拟和数字电路中。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/07/04
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 分享至：