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c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法

1462019/02/19
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了一种c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法，主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿c轴分布的信息的问题。其技术步骤是：将c面GaN材料水平放置于x射线衍射仪的载物台；依次对GaN材料中的(0002)晶面和(103)晶面进行对光；以不小于50nm的步长减小x射线透射深度，并在各透射深度下获取(103)晶面的布拉格角；将测得的一组布拉格角代入布拉格方程，得到一组(103)晶面的面间距；根据这一组面间距计算c面GaN材料应力沿c轴分布的信息。本发明测试成本低，对被测材料无损伤，能获取一组应力沿c轴的分布信息，可用来分析c面GaN材料应力沿c轴的分布。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/02/19
  • 委托机构 西安电子科技大学
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