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一种基于PN结的硅通孔结构及其制作方法

1862018/12/26
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 成果持有方 西安理工大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 一种基于PN结的硅通孔结构及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 成果成熟度
  • 项目简介 本发明公开了基于PN结的硅通孔结构，从外到内依次设置为P型半导体衬底、N型掺杂层、介质层和金属柱，P型半导体衬底与N型掺杂层之间形成PN结空间电荷区，N型掺杂层、PN结空间电荷区及P型半导体衬底构成PN结。本发明还公开了该基于PN结的硅通孔结构的制作方法。本发明与传统同轴结构的圆柱形硅通孔相比，其采用N型掺杂层与P型半导体衬底形成PN结，在三维集成电路工作时处于反偏状态，自动实现隔离噪声的作用，达到较高的高频信号完整性。并且本发明的硅通孔结构省去了接地环节，同时减少了金属的使用，提高了热机械可靠性。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2019/12/26
  • 委托机构 西安理工大学
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