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一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件

7122018/08/06
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件，包括N+衬底、N‑漂移区、N沟道区、P+栅区、N+源区、由第一碳基材料层与第一金属层、第二金属层复合构成的源电极、由第三碳基材料层与第三金属层、第四金属层复合构成的漏电极、由第二碳基材料层与第五金属层、第六金属层复合构成的栅电极，N‑漂移区的厚度为9.5μm，宽度为7μm，掺杂浓度为6.5×1015cm‑3；N沟道区的深度为2.1μm，宽度为1.6μm，掺杂浓度为6.5×1015cm‑3；P+栅区掺杂浓度为1×1018cm‑3；N+衬底掺杂浓度为6×1018cm‑3；N+源区掺杂浓度为2×1018cm‑3。本发明一方面具有良好的热稳定性和导电特性，另一方面可以有效的改善散热，降低器件结温，使器件在高温下仍然可以稳定可靠的工作。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/04/17
  • 委托机构 西安电子科技大学
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