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基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法

7252018/03/16
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 微电子学院
  • 专利持有方 微电子学院
  • 行业领域 三网融合
  • 项目名称 基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2016/02/08
  • 委托机构 微电子学院
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