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一种改善SiC/SiO2界面态密度的方法

2372018/08/20
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 一种改善SiC/SiO2界面态密度的方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种改善SiC/SiO2界面态密度的方法，属于微电子技术领域。本发明的改善SiC/SiO2界面态密度方法具体包括以下步骤：基片表面清洗；底层SiO2层的生长；对底层SiO2栅介质层的SiC外延片进行PDS退火；对进行了PDS退火的SiC外延片进行顶层SiO2层的淀积；底部衬底电极的生长，并进行电极退火；对进行了衬底电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成。本发明通过在P氛围中进行退火，能有效的减小SiC/SiO2表面界面态密度，从而改善SiC/SiO2界面质量，提高器件特性。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2017/12/29
  • 委托机构 西安电子科技大学
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