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一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法

2522018/08/17
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源级帽层一侧形成栅电极，靠近源级帽层侧的部分栅电极向下凹陷，形成凹栅结构，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P缓冲层上端面靠近漏极帽层处与凹栅漏侧之间形成凹陷栅漏缓冲层，凹陷栅漏漂移区的凹陷深度与凹陷栅漏缓冲层的凹陷深度相同。本发明具有漏极输出电流大、击穿电压高、频率特性优良的优点。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/01/12
  • 委托机构 西安电子科技大学
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