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一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管

2372018/08/17
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，沟道上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，P型缓冲层的上端面在栅源和栅漏间下方设有凹槽。本发明具有输出漏极电流显著提高，击穿电压稳定的优点。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/01/12
  • 委托机构 西安电子科技大学
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