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一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法

6392020/06/16
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法，在已有离子注入工艺基础上将注入形成对导电沟道层注氮改为由外延形成的N+外延层a对导电沟道层注氮；对于N沟DiMOSFET器件而言，该外延厚度为2nm～5nm，掺杂浓度为1×1018cm‑3～1×1019cm‑3，随后在栅氧化层的工艺中被氧化，只是栅氧化层与SiC界面含氮离子，减少了表面的悬挂键，与已有的离子注入氮元素相比，本发明通过引入外延层a，避免了离子注入工艺引起的SiC和SiO2的接触界面粗糙，高晶格损伤，低激活率等问题，得到了一种了高电子迁移率，低导通电阻，低功耗的SiC DiMOSFET器件。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/06/16
  • 委托机构 西安电子科技大学
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