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一种栅控垂直双扩散金属?氧化物半导体场效应晶体管

2902020/06/08
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种栅控垂直双扩散金属?氧化物半导体场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种栅控垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管，把晶体管的沟道区和JFET区从上表面和前后侧面用栅电极包裹起来，这样在正向导通时扩展的栅电极使器件沟道区与JFET区都形成多数载流子积累层，从而能明显减小导通电阻，提高输出电流。而且由于折叠式栅对JFET区电荷的控制能力，可以避免JFET区因为缩小尺寸带来的穿通问题，从而促进元胞的电荷共享作用，优化了垂直电场分布，提高了器件的击穿电压。同时JFET区尺寸缩小有利于元胞小型化，提高元胞密度，从而能够获得更大的电流。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/06/08
  • 委托机构 西安电子科技大学
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