西部产学研在线服务平台
| 关注我们
扫描二维码
口袋专利

专利在线查询

描二维码
西部产学研在线

官方公众号

|关于我们
平台简介 帮助中心
|网站导航
| 咨询热线：029-88202821
您当前的位置：科技专利 > 基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管

基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管

3162020/06/03
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、钝化层(9)和保护层(13)；源极与漏极之间的势垒层内刻有栅槽(7)，栅槽(7)内淀积有栅极(8)，栅极与漏极之间的钝化层(9)内刻有凹槽(10)，凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)，钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有源场板(12)，该源场板与源极电气连接，源场板(12)与高介电常数介质(11)构成复合源场板。本发明具有制作工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/06/03
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 分享至：