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T形漏场板异质结功率器件及其制作方法
T形漏场板异质结功率器件及其制作方法
192
2020/05/09
基本信息
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专利类型
高等院校
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委托机构
西安电子科技大学
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专利持有方
西安电子科技大学
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行业领域
微电子
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项目名称
T形漏场板异质结功率器件及其制作方法
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知识产权
发明专利
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项目简介
本发明公开了一种T形漏场板异质结功率器件及其制作方法,主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(11)。钝化层(8)内刻有漏槽(9),钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有T形漏场板(10),T形漏场板(10)与肖特基漏极(5)电气连接,且下端完全填充在漏槽(9)内。本发明具有制作工艺简单、反向特性好以及成品率高的优点,可作为开关器件。
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交易信息
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意向交易额
面议
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挂牌时间
2021/05/09
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委托机构
西安电子科技大学
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