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氮化镓基直角漏场板高电子迁移率晶体管

2172020/04/29
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 氮化镓基直角漏场板高电子迁移率晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种氮化镓基直角漏场板高电子迁移率晶体管，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、栅极(8)、钝化层(9)和保护层(12)。钝化层(9)内刻有漏槽(10)，钝化层(9)与保护层(12)之间淀积有直角漏场板(11)，直角漏场板(11)靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽(10)靠近肖特基漏极一侧边缘对齐，该直角漏场板(11)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内。本发明具有制作工艺简单、反向特性好以及成品率高的优点，可作为开关器件。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/04/29
  • 委托机构 西安电子科技大学
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