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SiC单晶片的微弧放电微细切割装置及切割方法

1852020/03/02
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 专利持有方 西安理工大学
  • 行业领域 其他
  • 项目名称 SiC单晶片的微弧放电微细切割装置及切割方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了SiC单晶片的微弧放电微细切割装置，包括床身、导管和脉冲电源箱，床身上安装有线锯系统和机床工作台，机床工作台上安装有SiC单晶棒，导管的一端通过液压泵与电解液箱连接，导管的另一端位于SiC单晶棒与线锯系统切割处的上方；脉冲电源箱的正极与SiC单晶棒的一端相连，脉冲电源箱的负极与线锯系统中的线锯相连。本发明还公开了SiC单晶片的微弧放电微细切割方法。本发明通过微弧放电体的放电加工方法缩短了SiC单晶片的切割时间，提高了材料去除率，降低晶片表面粗糙度和TTV，降低了线锯的磨损，节省珍贵硬脆材料。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2023/03/11
  • 委托机构 西安理工大学
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