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二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法

1502019/11/18
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 专利持有方 西安理工大学
  • 行业领域 计算机科学与技术
  • 项目名称 二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，包括以下步骤：输入模型文件；初始化参数以及设置参数；添加场源到磁场分量系数中，并更新计算整个计算区域磁场分量系数；更新计算整个计算区域的电场分量系数；更新计算整个计算区域的中间变量的系数；更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量；计算观测点的电磁场分量；将p+1赋值给p，并判断p是否达到预设值，若p未达到预设值，则返回步骤3；若p达到预设值时，则结束。本发明的二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，对于低频和凋落波具有更好的吸收效果。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/11/12
  • 委托机构 西安理工大学
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