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SiC单晶片的超声电复合切割装置及切割方法

1562019/11/04
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 专利持有方 西安理工大学
  • 行业领域 材料科学与工程
  • 项目名称 SiC单晶片的超声电复合切割装置及切割方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种SiC单晶片的超声电复合切割装置，包括玻璃槽，玻璃槽安装在机床夹具上，玻璃槽内的底部固接有树脂基座，树脂基座上安装有SiC晶棒，玻璃槽的上方设置有线锯，线锯的上方设置有超声波发生器；线锯与直流脉冲电源的负极相连作为阴极电极，SiC晶棒与直流脉冲电源的正极相连作为阳极电极，玻璃槽中装有电解液并且电解液浸没SiC晶棒，电解液中分散设置有金刚石微粒。本发明还公开了SiC单晶片的超声电复合切割方法。本发明通过超声振动加工和电化学加工复合方法缩短了SiC单晶片的成品加工时间，提高了材料去除率和晶片表面质量，降低了金刚石线锯的磨损和珍贵硬脆材料由于线锯直接切割造成的浪费，提高了其使用寿命。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/11/05
  • 委托机构 西安理工大学
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