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一种场限环-负斜角复合终端结构

1732019/11/04
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 专利持有方 西安理工大学
  • 行业领域 材料科学与工程
  • 项目名称 一种场限环-负斜角复合终端结构
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构，将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方设置有n型场阻止层，在n型场阻止层下方设置有p+阳极区及阳极；有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p+基区，p+基区中央设置有一个阴极n+发射区，每个n+发射区上方设有阴极；p+基区上方设有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n+发射区的周围；在终端区的n-衬底内，在主结外侧设了至少一个p型场限环，并在场限环上面有一个负斜角，斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/11/19
  • 委托机构 西安理工大学
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