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一种电子注入增强型的高压IGBT及其制造方法

892019/10/30
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 专利持有方 西安理工大学
  • 行业领域 电力工程
  • 项目名称 一种电子注入增强型的高压IGBT及其制造方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种电子注入增强型的高压IGBT，在n‑硅衬底上方中间部位沟槽内和两侧的平面部分设有栅氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅层，称为沟槽‑平面栅极G；沟槽‑平面栅极G两侧的n‑硅衬底上各设有一个p基区，并通过栅氧化层与沟槽‑平面栅极G隔离，每个p基区内n+发射区上表面与所在p基区短路分别形成一个发射极E；n‑漂移区上方与两侧p基区底部相接处设有分立的n载流子存储层；n‑漂移区下方依次设有n场阻止层、p+集电区、集电极C。本发明还公开了上述电子注入增强型的高压IGBT制造方法。本发明的高压IGBT结构，显著改善器件导通时的饱和电压，阻断电压高、通态损耗低、闩锁电流密度较高。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/10/28
  • 委托机构 西安理工大学
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