西部产学研在线服务平台
| 关注我们
扫描二维码
口袋专利

专利在线查询

描二维码
西部产学研在线

官方公众号

|关于我们
平台简介 帮助中心
|网站导航
| 咨询热线：029-88202821
您当前的位置：科技专利 > 基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法

基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法

1182019/10/16
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法，主要解决现有1‑3结构的复合材料不能同时减小衬底钳制效应和漏电的问题。其实现步骤是：先在蓝宝石衬底沉积一层氧化镁薄膜，并在氧化镁薄膜上依次沉积铁酸钴和钛酸钡薄膜，得到双层磁电复合薄膜；再在其表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯的磁电复合薄膜与蓝宝石衬底脱离，并将脱离蓝宝石衬底的磁电复合薄膜转移到后续所需的衬底上，得到铁酸钴钛酸钡自支撑磁电复合薄膜。本发明得到的自支撑磁电复合薄膜相比现有的1‑3结构的复合材料，其不仅可以减小衬底钳制，而且减小了漏电问题，可用于磁电传感器的制备。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/10/16
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 分享至：