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基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器

1262019/10/10
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域
  • 项目名称 基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对γ射线的探测。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/10/10
  • 委托机构 西安电子科技大学
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