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可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

1422019/09/21
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 专利持有方 西安理工大学
  • 行业领域 材料科学与工程
  • 项目名称 可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开一种可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括衬底，器件的两端设置有形状相同，但参数可变的结构，本发明还公开一种可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，本发明中提出的结构有效解决了常规沟槽型IGBT反向阻断能力弱的问题以和关断时间长的问题，提供了一种适用性极强的可双端控制的双向型器件，可替代以多个半导体器件组成具有双向特性的小型电路，极大的节约了能源和提升了电能的利用率，缓解我国目前供电紧张的当务之急。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/09/24
  • 委托机构 西安理工大学
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