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一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法

2002019/09/03
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安理工大学
  • 专利持有方 西安理工大学
  • 行业领域 复合材料与工程
  • 项目名称 一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 一种钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法,将钛酸丁酯和无水乙醇混合加入氧化镍溶胶中,搅拌陈化得到钛掺杂的氧化镍溶胶;采用浸渍提拉法在二氧化锡基板上进行薄膜提拉,将提拉制得的薄膜在室温下进行干燥,得到钛掺杂的氧化镍薄膜;将钛掺杂的氧化镍薄膜热处理后使用溅射仪对其进行顶电极的制备,即得到钛掺杂氧化镍电阻存储器薄膜。本发明制备方法,简便、易行;与常用的半导体薄膜的制备技术相比,这种溶胶‑凝胶方法因为不需要复杂、昂贵的设备,工艺参数易于控制,能大大地降低生产成本,并能制备大面积薄膜;在进行氧化镍薄膜的掺杂时,掺杂工艺简单、定量准确。
交易信息