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单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法

4782018/08/08
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明涉及一种单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法，该方法包括:将MOS芯片放置在底座(I)上；将横压条(IV)放置在MOS芯片的上表面的中心位置处；将压架(II)放置于底座(I)的正上方，压架(II)的第三螺孔与底座(I)的第一螺孔对齐并通过螺钉固定；测试MOS芯片施加单轴应力前的第一输出特征曲线；将顶杆(III)安装于压架(II)的中心横杆位于中心位置处的第二螺孔中；将标尺架(V)安装于压架(II)的中心横杆的正上方，并使标尺架(V)的螺杆手柄与中心横杆的第二螺孔相连接；转动螺杆手柄以使顶杆(III)与横压条(IV)表面接触以对待测MOS芯片施加单轴应力；拆卸标尺架(V)，并测试MOS芯片施加单轴应力的第二输出特性曲线；对比第一和第二输出特征曲线，以获得测试结果。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/04/17
  • 委托机构 西安电子科技大学
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