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基于GaAsN‑GaAsSb 材料的II型异质结隧穿场效应晶体管

7062018/08/07
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 基于GaAsN‑GaAsSb 材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于GaAsN‑GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极(6)。源极和漏极均采用N组分为(0,0.03]的GaAsN复合材料；沟道采用Sb组分为[0.35,0.65]的GaAsSb复合材料；在衬底上，源极、沟道、漏极自下而上竖直分布，绝缘电介质与栅电极包裹在沟道外部。本发明通过GaAsN与GaAsSb两种材料相互接触形成II型异质隧穿结使得隧穿势垒高度降低，隧穿几率和隧穿电流增大，器件整体性能提升，可用于制作大规模集成电路。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/04/17
  • 委托机构 西安电子科技大学
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