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一种横向导电结构 SiC MOSFET 功率器件

7222018/08/06
咨询专利 发布专利
基本信息
  • 专利类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 专利持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 一种横向导电结构 SiC MOSFET 功率器件
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明实施例涉及一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件,所述SiC MOSFET功率器件自上而下包括：栅极、SiO2隔离介质层、N+漏区、N+源区、P+欧姆接触区、P阱、N‑漂移区和P型SiC衬底；其中，N+漏区、N+源区和P+欧姆接触区水平设置，N+源区和P+欧姆接触区位于P阱内；在SiO2隔离介质层与N‑漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVDSiO2界面层。
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/04/17
  • 委托机构 西安电子科技大学
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