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本发明公开了一种增强型MIS结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG
175
2018-10-09
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本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻G
187
2018-10-09
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本发明公开了一种基于超像素的SAR图像CFAR检测方法，主要解决现有恒虚警CFAR检测算法在多目标环
186
2018-10-09
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本发明公开了一种多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法，主要解决现有1‑3结构的复合材料
151
2018-10-09
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一种识别Alpha稳定分布噪声下数字调制信号的方法，所述方法包括以下步骤：对接收到的信号x(t)做预
191
2018-10-09
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本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过P型埋层和N型buf
164
2018-10-09
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